|
1
|
1.Пластини напівпроводникові,ще не роз різані на кристали зі структурами інтег ральних мікросхем,виготовлені за біполяр ною технологією. УР1101ХП32-4 - 16 шт., УР1101ХП05 - 16 шт. Місткість пам'яті:пам'ять відсутня. Тип запам'ятовувальних пр
|
""ТОВ""""НВО""""Кристал"""",Україна""
|
""ВАТ""""ІНТЕГРАЛ""""""
|
2013-08-29
|
UA
|
|
2
|
1.Пластини напівпроводникові,ще не роз різані на кристали зі структурами інтег ральних мікросхем,виготовлені за біполяр ною технологією. УР1101ХП16 - 37 шт. Місткість пам'яті:пам'ять відсутня. Тип запам'ятовувальних пристроїв:відсут ні. Виро
|
""ТОВ""""НВО""""Кристал"""",Україна""
|
""ВАТ""""ІНТЕГРАЛ""""""
|
2013-08-02
|
UA
|
|
3
|
1.Пластини напівпроводникові,ще не роз різані на кристали зі структурами інтег ральних мікросхем,виготовлені за біполяр ною технологією. УР1101ХП16 - 12 шт. УР1101ХП54 - 17 шт. УР1101УД48 - 18 шт. Місткість пам'яті:пам'ять відсутня. Тип за
|
""ТОВ""""НВО""""Кристал"""",Україна""
|
""ВАТ""""ІНТЕГРАЛ""""""
|
2013-05-28
|
UA
|
|
4
|
1.Пластини напівпроводникові,ще не роз різані на кристали зі структурами інтег ральних мікросхем,виготовлені за біполяр ною технологією. УР1101ХП16 - 36 шт. УР1101ХП24А - 19 шт. УР1101ХП24 - 11 шт. УР1101ХП28 - 21 шт. УР1101ХП26-3 - 23 шт.
|
""ТОВ""""НВО""""Кристал"""",Україна""
|
""ВАТ""""ІНТЕГРАЛ""""""
|
2013-03-11
|
UA
|
|
5
|
1.Пластини напівпроводникові,ще не роз різані на кристали зі структурами інтег ральних мікросхем,виготовлені за біполяр ною технологією. УР1101ХП16 - 38 шт. УР1101ХП24 - 23 шт. УР1101ХП28 - 18 шт. УР1101ХП32-4 -11 шт. УР1101ХП54 - 20 шт.
|
""ТОВ""""НВО""""Кристал"""",Україна""
|
""ВАТ""""ІНТЕГРАЛ""""""
|
2013-01-31
|
UA
|
|
6
|
1.Кремнієві пластини напівпроводникові, діаметром 100 мм,ще не розрізані на крис тали зі структурами інтегральних мікрос хем,виготовлені за біполярною техноло гією. УР1101ХП16 - 40 шт. Місткість пам'яті:пам'ять відсутня. Тип запам'ятовувальних
|
""ТОВ""""НВО""""Кристал"""",Україна""
|
""ВАТ """"ІНТЕГРАЛ""""""
|
2012-12-14
|
UA
|
|
7
|
1.Пластини напівпроводникові,ще не роз різані на кристали зі структурами інтег ральних мікросхем,виготовлені за біполяр ною технологією. УР1101ХП16 - 20 шт. УР1101ХП24 - 19 шт. УР1101ХП24А - 19 шт. УР1101ХП28 - 20 шт. УР1101ХП35- 42 шт.
|
""ТОВ""""НВО""""Кристал"""",Україна""
|
""ВАТ""""ІНТЕГРАЛ""""""
|
2012-11-28
|
UA
|
|
8
|
1.Пластини напівпроводникові,ще не роз різані на кристали зі структурами інтег ральних мікросхем,виготовлені за біполяр ною технологією. УР1101ХП24А - 20 шт. УР1101УД48 - 11 шт. Місткість пам'яті:пам'ять відсутня. Тип запам'ятовувальних прис
|
""ТОВ""""НВО""""Кристал"""",Україна""
|
""ВАТ""""ІНТЕГРАЛ""""""
|
2012-08-30
|
UA
|
|
9
|
""1.Транзистори, за винятком фототранзисторiв з потужнiстю розсiювання менш як 1 Вт: - арт.КТ3102АМ-2000шт. Призначенi для роботи в низькочастотних пристроях апаратури широкого застосування з малим рiвнем шумiв; - арт.КТ969А-20000шт. Призначенi дл""
|
""ПАТ """"Електротехнічний завод""""""
|
""ВАТ """"Інтеграл""""""
|
2012-06-14
|
UA
|
|
10
|
""1.Електронні інтегровані схеми арт. 512ПС10-500шт. Виготовлені за технологією КМОН, призначені для роботи в апаратурі виробничо-технічнічного призначення в якості тимчасового пристрою. Не програмовані; оперативна, статична і динамічна пам'ять від""
|
""ПАТ """"Електротехнічний завод""""""
|
""ВАТ """"Інтеграл""""""
|
2012-06-14
|
UA
|