|
1
|
1.Пластини напівпроводникові,ще не роз різані на кристали зі структурами інтег ральних мікросхем,виготовлені за біполярною технологією. УР1101ХП16 - 18 шт., УР1101ХП37 - 22 шт. УР1101ХП24 - 39 шт. УР1101ХП32 - 22 шт. Місткість пам'яті:пам'ять відсутн
|
ТОВ""НВО""Кристал"",Україна м.Київ,юр.адреса Заліз
|
ВАТ""ІНТЕГРАЛ"" 220108 м.Мінськ, вул.Казинца,121А
|
2011-04-08
|
UA
|
|
2
|
1.Пластини напівпроводникові,ще не роз різані на кристали зі структурами інтег ральних мікросхем,виготовлені за біполярною технологією. УР1101ХП16 - 43 шт. Місткість пам'яті:пам'ять відсутня. Тип запам'ятовувальних пристроїв:відсут ні. Виробник:ВАТ""І
|
ТОВ""НВО""Кристал"",Україна м.Київ,юр.адреса Заліз
|
ВАТ""ІНТЕГРАЛ"" 220108 м.Мінськ, вул.Казинца,121А
|
2011-03-25
|
UA
|
|
3
|
1.Пластини напівпроводникові,ще не роз різані на кристали зі структурами інтег ральних мікросхем,виготовлені за біполярною технологією. УР1101ХП16 - 19 шт. Місткість пам'яті:пам'ять відсутня. Тип запам'ятовувальних пристроїв:відсут ні. Виробник:ВАТ""І
|
ТОВ""НВО""Кристал"",Україна м.Київ,юр.адреса Заліз
|
ВАТ""ІНТЕГРАЛ"" 220108 м.Мінськ, вул.Казинца,121А
|
2011-03-11
|
UA
|
|
4
|
1.Кремнієві пластини напівпроводникові, діаметром 100 мм,ще не розрізані на кристали зі структурами інтегральних мікрос хем,виготовлені за біполярною техноло гією. УР1101ХП24А - 15 шт. УР1101ХП24 - 21 шт. УР1101ХП32 - 23 шт. УР1101ХП54 - 6 шт. Місткі
|
ТОВ""НВО""Кристал"",Україна м.Київ,юр.адреса Заліз
|
ВАТ ""ІНТЕГРАЛ"" 220108 м.Мінськ,ул.Казинца,121А
|
2011-02-24
|
UA
|
|
5
|
1.Пластини напівпроводникові,ще не роз різані на кристали зі структурами інтег ральних мікросхем,виготовлені за біполярною технологією. УР1101ХП24 - 41 шт. УР1101ХП33 - 18 шт. УР1101ХП35 - 15 шт. УР1101ПС01 - 30 шт. Місткість пам'яті:пам'ять відсутня
|
ТОВ""НВО""Кристал"",Україна м.Київ,юр.адреса Заліз
|
N/A
|
2011-01-17
|
UA
|