1
|
1. Діоди, транзистори та аналогічні напівпровідникові прилади; фоточутливі напівпровідникові прилади, включаючи фотогальванічні елементи, зібрані або не зібрані у модуль, вмонтовані або не вмонтовані у панель; світловипромінювальні діоди; п'єзоелектр
|
""ВАТ """"Київський завод """"Радар""""""
|
""ФГУП """"Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ""""""
|
2011-07-14
|
UA
|
2
|
1.Електронні інтегровані схеми та електронні мікромодулі: мікросхеми серії 1002ИР1: мікросхеми інтегральні 1002ИР1 - 100 шт. Функціональне призначення:регістровий ЗП ємністю 32х8. Технічні параметри при t=+25+-5 град.С: струм живлення при напр
|
""ВАТ """"Київський завод """"Радар""""""
|
""ФГУП """"Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ""""""
|
2011-07-14
|
UA
|
3
|
""1.Електронні інтегровані схеми та електронні мікромодулі: мікросхеми серії 564ЛА10: мікросхеми інтегральні 564ЛА10 - 100 шт. Функціональне призначення: два логічних елемента """"2И-НЕ"""" з відкритим стоковим виходом. Технічні параметри при t=+25+-5 г""
|
""ВАТ """"Київський завод """"Радар""""""
|
""ФГУП """"Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ""""""
|
2011-06-30
|
UA
|
4
|
1. Діоди, транзистори та аналогічні напівпровідникові прилади; фоточутливі напівпровідникові прилади, включаючи фотогальванічні елементи, зібрані або не зібрані у модуль, вмонтовані або не вмонтовані у панель; світловипромінювальні діоди; п'єзоелектр
|
""ВАТ """"Київський завод """"Радар""""""
|
""ФГУП """"Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ""""""
|
2011-06-30
|
UA
|