|
1
|
""1.Дiоди, крiм фотодiодiв та свiтловипромiнювальних дiодiв (крiм пластин напiвпровiдникових, ще не розрiзаних на кристали): обмежувальнi радiочастотнi дiоди MA4L031-134:MW-200шт частота-2 GHz, робочий дiапазон температури вiд -60С до +100С;""
|
""ТОВ """"Елсис""""""
|
Компанія RICHARDSON RFPD,INC. USA
|
2012-08-07
|
UA
|
|
2
|
""1.Дiоди, крiм фотодiодiв та свiтловипромiнювальних дiодiв (крiм пластин напiвпровiдникових, ще не розрiзаних на кристали): обмежувальнi радiочастотнi дiоди MA4L022-134:MW-300шт частота-2 GHz, робочий дiапазон температури вiд -60С до +100С;""
|
""ТОВ """"Елсис""""""
|
Компанія RICHARDSON RFPD,INC. USA
|
2012-08-07
|
UA
|
|
3
|
1.Транзистори, за винятком фототранзисторiв з потужнiстю розсiювання менш як 1 Вт (крiм пластин напiвпровiдникових, ще не розрiзаних на кристали): радiочастотний транзистор малих сигналiв,пiдсилювальний транзистор з високою рухливiстю електр
|
""ТОВ """"Елсис""""""
|
Компанія RICHARDSON RFPD,INC. USA
|
2012-07-27
|
UA
|
|
4
|
1.Електронні інтегровані схеми- радіочастотний та мікрохвмльовий кінцевий підсилювач МААМ26100-Р1:MW -64шт. Явл. GaAs (галлій арсенідовий) монолітним двокаскадним високоефективним підсилювачем потужності у високоякісному керамічному корпусі з
|
""ТОВ """"Елсис""""""
|
Компанія RICHARDSON RFPD,INC. USA
|
2012-07-27
|
UA
|