1
|
1. Конденсатори електричні, постійної ємності, складаються з багатьох шарів розділених ізоляційним матеріалом керамікою, тип сухий конденсатор, форма пареллелепипед, тип: МС03КТВ500103 -20000шт. (корпус 0603, розміром 1,6*0,8*0,8мм, ємність 10000пФ,
|
НВП у формі ТОВ ""Техавто"" 21027,м.Вінниця,вул.6
|
VIKING TECH CORPORATION KAOHSIUNG BRANCH No.248
|
2011-04-21
|
UA
|
2
|
1. Резистори електричні, постійні, потужністю не більш як 20Вт, безвивідні, мають алюмінієву основу, одержані методом напилення, мають форму паралелепіпеда, потужність 0,1Вт, корпус 0603, розміром 1,6*0,8*0,45мм: CR-03JL7 -2275000шт., сила опору 10 О
|
НВП у формі ТОВ ""Техавто"" 21027,м.Вінниця,вул.6
|
VIKING TECH CORPORATION KAOHSIUNG BRANCH No.248
|
2011-04-21
|
UA
|
3
|
1. Діоди обмежувальні, двоелектродні, з одним p-n переходом: тип SMAJ18A -150000шт. (максимальна напруга обмеження 29,2В, імпульсний струм 13,7А, корпус SMA/DO 214AC, вага нетто одного діода 0,061 грам, розміщені на стрічках в пластикових бабінах), т
|
НВП у формі ТОВ ""Техавто"" 21027,м.Вінниця,вул.6
|
BestBright Electronics Co.,LTD 1st F,3rd Buildi
|
2011-04-05
|
UA
|
4
|
1. Транзистори, з потужністю розсіювання меньш як 1Вт, біполярні, триелектродні, з n-p-n переходом: тип ММВТА42 -150000шт. на стрічках в пластикових бабінах (потужність розсіювання 0,35Вт, частота перемикання 50МГц, тип корпуса SOT-23, вага нетто одн
|
НВП у формі ТОВ ""Техавто"" 21027,м.Вінниця,вул.6
|
Changzhou Galaxy Electrical Co., LTD. No.168, H
|
2011-04-01
|
UA
|
5
|
1. Діоди, двоелектродні, випрямні, з одним p-n переходом: тип BAS116 -450000шт. на стрічках в пластикових бабінах (потужність розсіювання 250мВт, прямий постійний струм 215мА, зворотня напруга прямого струму 85В, тип корпуса SOT-23, вага нетто одного
|
НВП у формі ТОВ ""Техавто"" 21027,м.Вінниця,вул.6
|
Changzhou Galaxy Electrical Co., LTD. No.168, H
|
2011-04-01
|
UA
|
6
|
1. Друковані плати одношарові, мають лише струмопровідні елементи та контакти, одержані за допомогою процесу травлення провідних елементів та контактів на ізоляційній основі. Складаються з друкованих провідних елементів, які в свою чергу складаються
|
НВП у формі ТОВ ""Техавто"" 21027,м.Вінниця,вул.6
|
ET Limited 618, Baijin Building, Ninth Area, Ba
|
2011-03-15
|
UA
|
7
|
1. Транзистори силові, біполярні, тип переходу n-p-n: артикул MJE13007 -70000шт. (частота перемикання 4МГц, потужність розсіювання 85Вт, тип корпуса TO-262), артикул BLD135D -70000шт. (частота перемикання 0,5МГц, потужність розсіювання 50Вт, тип корп
|
НВП у формі ТОВ ""Техавто"" 21027,м.Вінниця,вул.6
|
SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO., LTD Bldg.No.2,F
|
2011-03-15
|
UA
|
8
|
1.Діоди обмежувальні, двоелектродні, з одним p-n переходом: тип SMAJ18A -100000шт. (максимальна напруга обмеження 29,2В, імпульсний струм 13,7А, корпус JEDEC DO214AC, вага нетто одного діода 0,061 грам, розміщені на стрічках в пластикових бабінах), т
|
НВП у формі ТОВ ""Техавто"" 21027,м.Вінниця,вул.6
|
BestBright Electronics Co.,LTD 1st F,3rd Buildi
|
2011-02-11
|
UA
|
9
|
1.Діоди обмежувальні, двоелектродні, з одним p-n переходом: тип P4SMA350A -50000шт. в бабінах (мах. напруга обмеження 482В, імпульсний струм 0,9А, корпус JEDEC DO214AC). Встановлюються в прилади автомобільної електроніки. Не є продукцією військового
|
НВП у формі ТОВ ""Техавто"" 21027,м.Вінниця,вул.6
|
BestBright Electronics Co.,LTD 1st F,3rd Buildi
|
2011-01-18
|
UA
|
10
|
1.Діоди обмежувальні, двоелектродні, з одним p-n переходом: тип SMAJ18A -100000шт. (потужність розсіювання 3,3Вт, максимальна напруга обмеження 29,2В, імпульсний струм 13,7А, корпус JEDEC DO214AC), тип Р4КЕ350А -51000шт. (потужність розсіювання 1,5В,
|
НВП у формі ТОВ ""Техавто"" 21027,м.Вінниця,вул.6
|
BestBright Electronics Co.,LTD 1st F,3rd Buildi
|
2011-01-11
|
UA
|