|
1
|
1. Елементи хiмiчнi легованi, у виглядi пластин: кремнiєві пластиниSi(100)n-типа, діам.100мм,phosphorus-dopped silicon-30 шт; кремнiєві пластиниSi(111)n-типа, діам.100мм,wafer thickness-25шт, кремнiєві пластиниSi(100)p-типа, діам.100мм, Boron-dopped silicon-25шт; кремнiєві пластиниSi(111)p-типа, діам.100мм, Boron-dopped silicon-25шт кремнiєві пластиниSi(100)p-типа, діам.100мм, Boron-dopped silicon-10шт; Призначення:зразки длявикористання в ел ектроніцi.Виробник:ДП""НДІ Мікроприладів"" НТК""Ін-т монокристалів"" НАНУТоргівельна марка:ДП""НДІ Мікроприладів"" НТК""Ін-т монокристалів"" НАНУКраїна виробництва:UA
|
Department of Material Science&Nano techology, UNAM, Bilkent University
|
Держ.підприємство ""НДІ Мікроприлад ів""НТК""Ін-т монокристалів"" НАНУ
|
2017-04-06
|
UKRAINE
|
|
2
|
""1. Елементи хiмiчнi легованi, у виглядi пластин: кремнiєві пластини Si(100)p-типа, діам.100мм, Boron-dopped silicon-100шт; кремнiєві пластини Si(111)p-типа, діам.100мм, phosphorus-dopped silicon- 100шт; кремнiєві пластини Si(100)n-типа, діам.100мм,phosphorus-dopped silicon-50 шт; кремнiєві пластини Si(111)n-типа, діам.100мм,Boron-dopped silicon-50шт, SiO2-пассивировані пластини Si(100)діам. 100мм, 300nm, 600nm-50шт; SiO2-пассивировані пластини Si(111)діам. 100мм, 300nm, 600nm-50шт; Призначення:зразки для використання в ел ектроніцi. Виробник:ДП""""НДІ Мікроприладів"""" НТК""""Ін-т монокристалів"""" НАНУ Торгівельна марка:ДП""""НДІ Мікроприладів"""" НТК""""Ін-т монокристалів"""" НАНУ Країна виробництва:UA""
|
Department of Material Science&Nano techology, UNAM, Bilkent University
|
""Держ.підприємство """"НДІ Мікроприлад ів""""НТК""""Ін-т монокристалів"""" НАНУ""
|
2015-12-07
|
UKRAINE
|
8.00 кг
|