1
|
""1.Електронні інтегральні мікросхеми операційні підсилювачі-27шт.: 140УД601А бК0.347.004ТУ4-21шт., 140УД26А бК0.347.004ТУ23-6шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У. Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""""КВАЗАР-ІС"""". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""""КВАЗАР-ІС"""".""
|
""ЗАО""""РАДИАНТ-ЭЛКОМ""""Юр.адрес 105484,Москва,16 Парковая,27,РФ""
|
""Дочірнє підприємство""""КВАЗАР-ІС""""""
|
2015-11-23
|
UKRAINE
|
0.00 кг
|
2
|
""1.Електронні інтегральні мікросхеми аналоговий перемножувач сигналів-48шт: 525ПС3А бК0.347.127-03ТУ-44шт. 525ПС2А бК0.347.127-02ТУ-4шт Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У. Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв- запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""""КВАЗАР-ІС"""". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""""КВАЗАР-ІС"""".""
|
""ЗАО""""РАДИАНТ-ЭЛКОМ""""Юр.адрес 105484,Москва,16 Парковая,27,РФ""
|
""Дочірнє підприємство""""КВАЗАР-ІС""""""
|
2015-11-23
|
UKRAINE
|
48.00 шт
|
3
|
""1.Електронні інтегральні мікросхеми аналоговий перемножувач сигналів 525ПС2А бКО.347.127-02ТУ-8 шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів. Іонізуюче випромінювання ядерного вибуху: загальна доза 10 в 3-й степени рад; межа потужності дози 5х10 в 4-й степени рад/с; флюєнс нейтронів 10 в 12-й степени нейтр/см в квадрате. Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""""КВАЗАР-ІС"""". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""""КВАЗАР-ІС"""".""
|
""ЗАО""""РАДИАНТ-ЭЛКОМ""""Юр.адрес 105484,Москва,16 Парковая,27,РФ""
|
""Дочірнє підприємство""""КВАЗАР-ІС""""""
|
2015-10-22
|
UKRAINE
|
8.00 шт
|
4
|
""1.Електронні інтегральні мікросхеми аналоговий перемножувач сигналів 525ПС2А бКО.347.127-02ТУ-60 шт., операційний підсилювач бКО.347.004 ТУ 11 140УД14-4 шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів. Іонізуюче випромінювання ядерного вибуху: загальна доза 10 в 3-й степени рад; межа потужності дози 5х10 в 4-й степени рад/с; флюєнс нейтронів 10 в 12-й степени нейтр/см в квадрате. Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""""КВАЗАР-ІС"""". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""""КВАЗАР-ІС"""".""
|
""ЗАО""""РАДИАНТ-ЭЛКОМ""""Юр.адрес 105484,Москва,16 Парковая,27,РФ""
|
""Дочірнє підприємство""""КВАЗАР-ІС""""""
|
2015-09-28
|
UKRAINE
|
64.00 шт
|
5
|
""1.Електронні інтегральні мікросхеми аналоговий перемножувач сигналів 525ПС2А бКО.347.127-02ТУ-39шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів. Іонізуюче випромінювання ядерного вибуху: загальна доза 10 в 3-й степени рад; межа потужності дози 5х10 в 4-й степени рад/с; флюєнс нейтронів 10 в 12-й степени нейтр/см в квадрате. Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""""КВАЗАР-ІС"""". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""""КВАЗАР-ІС"""".""
|
""ЗАО""""РАДИАНТ-ЭЛКОМ""""Юр.адрес 105484,Москва,16 Парковая,27,РФ""
|
""Дочірнє підприємство""""КВАЗАР-ІС""""""
|
2015-08-06
|
UKRAINE
|
39.00 шт
|
6
|
""1.Електронні інтегральні мікросхеми аналоговий перемножувач сигналів 525ПС2АбКО.347.127-02ТУ-6 шт., операційний перемножувач ОСМ140УД601А бКО.347.004ТУ4 ПО.070.052-150шт., операційний підсилювач 740УД4-1Н бКО.347.021ТУ РМ 11091.926-420 шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів. Іонізуюче випромінювання ядерного вибуху: загальна доза 10 в 3-й степени рад; межа потужності дози 5х10 в 4-й степени рад/с; флюєнс нейтронів 10 в 12-й степени нейтр/см в квадрате. Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""""КВАЗАР-ІС"""". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""""КВАЗАР-ІС"""".""
|
""ЗАО""""РАДИАНТ-ЭЛКОМ""""Юр.адрес 105484,Москва,16 Парковая,27,РФ""
|
""Дочірнє підприємство""""КВАЗАР-ІС""""""
|
2015-08-04
|
UKRAINE
|
576.00 шт
|
7
|
""1.Електронні інтегральні мікросхеми аналоговий перемножувач сигналів 525ПС2АбКО.347.127-02ТУ-90шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів. Іонізуюче випромінювання ядерного вибуху: загальна доза 10 в 3-й степени рад; межа потужності дози 5х10 в 4-й степени рад/с; флюєнс нейтронів 10 в 12-й степени нейтр/см в квадрате. Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""""КВАЗАР-ІС"""". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""""КВАЗАР-ІС"""".""
|
""ЗАО""""РАДИАНТ-ЭЛКОМ""""Юр.адрес 105484,Москва,16 Парковая,27,РФ""
|
""Дочірнє підприємство""""КВАЗАР-ІС""""""
|
2015-07-02
|
UKRAINE
|
90.00 шт
|
8
|
""1.Електронні інтегральні мікросхеми операційний підсилювачі 740УД4-1 бК0.347.021ТУ -120шт. 140УД20А бКО.347.004ТУ14-100шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів. Іонізуюче випромінювання ядерного вибуху: загальна доза 10 в 3-й степени рад; межа потужності дози 5х10 в 4-й степени рад/с; флюєнс нейтронів 10 в 12-й степени нейтр/см в квадрате. Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""""КВАЗАР-ІС"""". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""""КВАЗАР-ІС"""".""
|
""ЗАО""""РАДИАНТ-ЭЛКОМ""""Юр.адрес 105484,Москва,16 Парковая,27,РФ""
|
""Дочірнє підприємство""""КВАЗАР-ІС""""""
|
2015-06-09
|
UKRAINE
|
0.00 кг
|
9
|
1.Електронні інтегральні мікросхеми операційний підсилювач 140УД1301 бК0.347.004ТУ12 -150шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів. Іонізуюче випромінювання ядерного вибуху: загальна доза 10 в 3-й степени рад; межа потужності дози 5х10 в 4-й степени рад/с; флюєнс нейтронів 10 в 12-й степени нейтр/см в квадрате. Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"".
|
ЗАО""РАДИАНТ-ЭЛКОМ""Юр.адрес 105484,Москва,16 Парковая,27,РФ
|
Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС""
|
2015-04-21
|
UKRAINE
|
0.20 кг
|
10
|
""1.Електронні інтегральні мікросхеми аналоговий перемножувач сигналів 525ПС2А бК0.347.127-02ТУ -200шт. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У; И2, И3,С3,К1,К3 по 1У. Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Т""
|
""ЗАО""""РАДИАНТ-ЭЛКОМ""""Юр.адрес 105484,Москва,16 Парковая,27,РФ""
|
""Дочірнє підприємство""""КВАЗАР-ІС""""""
|
2013-10-17
|
UKRAINE
|