1
|
1.Електронні інтегральні схеми:Операційні підсилювачі 140УД601А бК0.347.004ТУ4-2000 шт.Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі.Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У. Місткість пам'яті- пам'ять відсутня;Технологія виготовлення-біполярна;Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні.Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"".Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"".
|
ВАТ ""Горисский Гамма""
|
Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС""
|
2016-11-09
|
UKRAINE
|
1.89 кг
|
2
|
1.Електронні інтегральні схеми:Операційні підсилювачі 140УД601А бК0.347.004ТУ4-2000 шт.Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі.Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У. Місткість пам'яті- пам'ять відсу
|
ВАТ ""Горисский Гамма""
|
Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС""
|
2016-11-09
|
UKRAINE
|
1.89 кг
|
3
|
1.Електронні інтегральні схеми: Операційні підсилювачі 140УД601А бК0.347.004ТУ4-4000 шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У. Місткість пам'яті- пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"".
|
ВАТ ""Горисский Гамма""
|
Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС""
|
2016-04-25
|
UKRAINE
|
4.00 кг
|
4
|
1.Електронні інтегральні схеми: Операційні підсилювачі 140УД601А бК0.347.004У4-1200 шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У. Місткість пам'яті- пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"".
|
ВАТ ""Горисский Гамма""
|
Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС""
|
2016-01-28
|
UKRAINE
|
1.23 кг
|
5
|
""1.Електронні інтегральні мікросхеми: операційний підсилювач 140УД601А бК0.347.004ТУ4-2000шт. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1 по 1,5х1У; И2,И3,С1 по 1У;С3,К3 по 0,1х1У;К1 по 1У. Місткіст""
|
""ВАТ """"Горисский Гамма""""""
|
""Дочірнє підприємство""""КВАЗАР-ІС""""""
|
2013-08-05
|
UKRAINE
|
6
|
""1.Електронні інтегральні мікросхеми: операційний підсилювач 140УД601А бК0.347.004ТУ4-2000шт. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1 по 1,5х1У; И2,И3,С1 по 1У;С3,К3 по 0,1х1У;К1 по 1У. Місткіст""
|
""ВАТ """"Горисский Гамма""""""
|
""Дочірнє підприємство""""КВАЗАР-ІС""""""
|
2013-05-16
|
UKRAINE
|
7
|
""1.Електронні інтегральні мікросхеми: операційні підсилювачі: 140УД601А бК0.347.004ТУ4-1000шт. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1 по 1,5х1У; И2,И3,С1 по 1У;С3,К3 по 0,1х1У;К1 по 1У. Місткіс""
|
""ВАТ """"Горисский Гамма""""""
|
""Дочірнє підприємство""""КВАЗАР-ІС""""""
|
2012-12-07
|
UKRAINE
|
8
|
1.Електронні інтегральні мікросхеми: операційні підсилювачі: 140УД601А бК0.347.004ТУ4-2000шт. Місткість пам'яті -пам'ять відсутня; Технологія виготовлення- біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв- запам'ятову
|
""ВАТ """"Горисский Гамма""""""
|
""Дочірнє підприємство""""КВАЗАР-ІС""""""
|
2012-01-27
|
UKRAINE
|
9
|
1.Електронні інтегральні мікросхеми: операційні підсилювачі: 140УД601А бК0.347.004ТУ4-2000шт. Місткість пам'яті -пам'ять відсутня; Технологія виготовлення- біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'я тову
|
""ВАТ """"Горисский Гамма""""""
|
""Дочірнє підприємство""""КВАЗАР-ІС""""""
|
2011-09-06
|
UKRAINE
|
10
|
1.Електронні інтегральні мікросхеми: операційні підсилювачі: 140УД601А бК0.347.004ТУ4-2000шт. Місткість пам'яті -пам'ять відсутня; Технологія виготовлення- біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'я тову
|
""ВАТ """"Горисский Гамма""""""
|
""Дочірнє підприємство""""КВАЗАР-ІС""""""
|
2011-05-17
|
UKRAINE
|